KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数
		
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						 型号  | 
					
						 KDC 40  | 
				
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						 阳极  | 
					
						 DC 直流  | 
				
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						 阳极功率  | 
					
						 100W  | 
				
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						 最大离子束流  | 
					
						 >100mA  | 
				
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						 电压  | 
					
						 100-1200V  | 
				
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						 气体  | 
					
						 惰性和反应气体  | 
				
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						 进气流量  | 
					
						 2-10sccm  | 
				
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						 压力  | 
					
						 <0.5m Torr  | 
				
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						 离子光学(自对准)  | 
					
						 OptiBeamTM  | 
				
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						 离子束直径  | 
					
						 4cm Φ max  | 
				
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						 栅极  | 
					
						 钼和石墨  | 
				
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						 离子束形状  | 
					
						 聚焦, 平行, 散射  | 
				
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						 高度  | 
					
						 16cm  | 
				
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						 直径  | 
					
						 9cm  | 
				
			
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
			
离子蚀刻 IBE
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