点击图片查看原图
KRi 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
|
阳极 |
电感耦合等离子体 |
|
最大阳极功率 |
>1kW |
|
最大离子束流 |
> 1000mA |
|
电压范围 |
100-1200V |
|
离子束动能 |
100-1200eV |
|
气体 |
Ar, O2, N2, 其他 |
|
流量 |
5-50 sccm |
|
压力 |
< 0.5mTorr |
|
离子光学, 自对准 |
OptiBeamTM |
|
离子束栅极 |
22cm Φ |
|
栅极材质 |
钼 |
|
离子束流形状 |
平行,聚焦,散射 |
|
中和器 |
LFN 2000, MHC 1000 |
|
高度 |
30 cm |
|
直径 |
41 cm |
|
锁紧安装法兰 |
10”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸
KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
伯东版权所有, 翻拷必究!
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
